В распоряжении сетевых источников оказалась информация о технических характеристиках производительного смартфона Realme GT Flash, официальная презентация которого ожидается в текущем полугодии.

Утверждается, что в основу новинки ляжет процессор Snapdragon 888 Plus. Это решение содержит восемь ядер с тактовой частотой до 3 ГГц, графический ускоритель Adreno 660 и модем Snapdragon X60 5G со скоростью передачи данных до 7,5 Гбит/с.

Аппарат получит дисплей E4 sAMOLED формата QHD+ размером 6,7 дюйма по диагонали. Частота обновления этой качественной панели составит 120 Гц. Говорится об использовании оперативной памяти LPDDR5 и высокопроизводительного твердотельного накопителя UFS 3.1.
В оснащение смартфона войдёт тройная камера с 50-мегапиксельным основным сенсором Sony IMX766, вторым 50-мегапиксельным датчиком и 2-мегапиксельным модулем. Фронтальная камера сможет формировать 32-мегапиксельные изображения.

Питание обеспечит аккумуляторная батарея ёмкостью 4500 мА·ч. Говорится о совместимости с экосистемой подзарядки MagDart, которая была официально представлена несколько дней назад.

Среди прочего упомянуто наличие контроллера NFC, который позволит осуществлять платежи бесконтактным способом.

Компания Qualcomm, по сообщениям сетевых источников, готовит к выпуску процессор нового поколения для носимой электроники, в частности, для умных наручных часов. Изделие может выйти на коммерческий рынок под названием Snapdragon Wear 5100.

Чип фигурирует под кодовым именем Monaco. Сообщается, что конфигурация включает четыре вычислительных ядра Arm Cortex-A73. Для сравнения: процессор Snapdragon Wear 4100 содержит четыре ядра Arm Cortex-A53.

Наблюдатели полагают, что в основу нового решения может лечь аппаратная платформа Snapdragon 662 или Snapdragon 460. Оба эти процессора содержат графический ускоритель Adreno 610 и сотовый модем Snapdragon X11 LTE.

Само собой, Snapdragon Wear 5100 получит оптимизацию с целью снижения энергопотребления. Прочие технические характеристики решения пока, к сожалению, не раскрываются.

Официальная презентация нового процессора Qualcomm для носимых устройств может состояться в текущем полугодии. Первые гаджеты на этой платформе дебютируют в конце нынешнего или в начале следующего года.

Скорость LPDDR5X увеличена с 6400 до 8533 Мбит/с

Вчера отраслевая ассоциация JEDEC, занятая разработкой стандартов для микроэлектроники, объявила о публикации документа JESD209-5B, Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5). В частности, описывается новый стандарт оперативной памяти LPDDR5X, которая, по слухам, будет использоваться в смартфоне Xiaomi Mi 12.

Основные улучшения LPDDR5X включают увеличение скорости с 6400 до 8533 Мбит/с, улучшение целостности сигнала с помощью эквализации TX/RX и повышение надёжности благодаря новой функции Adaptive Refresh Management.

Также ожидается, что Xiaomi Mi 12 будет использовать однокристальную систему Qualcomm Snapdragon 898, которая получит суперъядро Cortex-X2 с частотой 3,09 ГГц. Источники утверждают, что её производительность будет заметно выше, чем у предшественника, а в AnTuTu она будет набирать более 1 млн баллов. Snapdragon 898 должна производиться с использованием 4-нанометрового технологического процесса Samsung, при этом общее энергопотребление и тепловыделение будут заметно снижены. Платформа получит графический процессор Adreno 730 и процессор обработки изображений Spectra 680 ISP.

Смартфону также приписывают первую в индустрии смартфонов камеру разрешением 200 Мп оптического формата 1 дюйм.

В прошлом году Qualcomm пересмотрела нейминг флагманского чипсета, назвав его Snapdragon 888 вместо ожидаемого Snapdragon 875. Тем не менее, заводя речь об его наследнике, многие источники называют его Snapdragon 895, однако сетевой информатор @UniverceIce с ними не согласен. Получив возможность познакомиться с прототипом, в новом сообщении он заявил, что чипсет будет называться Snapdragon 898, а рабочая частота его главного ядра Cortex-X2 составит невероятные 3,09 ГГц.

Утверждается, что чип будет основан на новой архитектуре Armv9, представленной в марте и способной повысить производительность на 16% в сравнении с Cortex-X1 в Snapdragon 888/888+ (2,84 ГГц и 2,995 ГГц). При этом новинка перейдёт на 4-нм техпроцесс, что поможет улучшить энергоэффективность новинки, и, в теории, справиться с ещё более серьёзным нагревом от рекордных частот. Графическим процессором, по некоторым данным, выступит Adreno 730, нейминг которого заметно отличается от актуального Adreno 660, как бы подчёркивая переход на новый уровень. Презентация Snapdragon 898 ожидается в конце этого года.

Китайская компания ZTE официально представила производительный смартфон Axon 30. Главная особенность устройства — спрятанная за дисплеем селфи-камера нового поколения.

Аппарат оборудован 6,92-дюймовым экраном AMOLED с соотношением сторон 20,5:9 и разрешением 2460 ? 1080 точек (формат Full HD+). Панель обладает частотой обновления 120 Гц, а частота отклика сенсорного слоя составляет 360 Гц.

Подэкранная камера способна формировать 16-мегапиксельные фотографии. Область над объективом при работе в режиме дисплея обеспечивает пиксельную плотность 400 PPI (точек на дюйм). За счёт этого изображение здесь не выглядит размытым. Непосредственно в зону дисплея также встроен сканер отпечатков пальцев.

Основная камера вобрала в себя четыре компонента, которые заключены в два кольцеобразных блока. Это 64-мегапиксельный датчик, 8-мегапиксельный модуль с широкоугольной оптикой, 5-мегапиксельный макромодуль и 2-мегапиксельный сенсор для получения данных о глубине сцены.

Применён процессор Qualcomm Snapdragon 870, который объединяет восемь ядер Kryo 585 с тактовой частотой до 3,2 ГГц, графический ускоритель Adreno 650 и сотовый модем Snapdragon X55 5G.

Объём оперативной памяти может составлять 6, 8 и 12 Гбайт. Вместимость флеш-накопителя UFS 3.1 — 128 и 256 Гбайт. Присутствуют адаптеры беспроводной связи Wi-Fi 6 и Bluetooth 5.1, контроллер NFC, порт USB Type-C.

Габариты составляют 170,2 ? 77,8 ? 7,8 мм, вес — 189 г. Установлена операционная система MyOS 11 на основе Android 11. Питание обеспечивает аккумулятор ёмкостью 4200 мА·ч с поддержкой 55-ваттной подзарядки. Цена новинки — от 290 до 400 евро в зависимости от размера памяти.