Компания Samsung на днях объявила об анонсе 8-гигабитной LPDDR4 RAM памяти для мобильных устройств.
Согласно официальным данным, эта разработка способна «поднять» объем оперативной памяти до 4 ГБ вместо максимального порога в 3 ГБ, который существует сегодня.
Новинка создана на основе 20-нм техпроцесса и использует LVSTL I/O интерфейс. Благодаря всему этому скорость обмена данными может достигать 3200 Мбит/c на контакт. Кроме того, новый чип памяти на целых 50% производительнее современных аналогов, но при этом потребляет энергии на 40% меньшее в отличие от конкурентов.
Скорее всего, южнокорейский производитель «обкатает» новую память на своем флагмане Samsung Galaxy S5, анонс которого ожидается в ближайшие месяцы. 4 ГБ оперативной памяти позволят более эффективно работать 64-битному процессору.